大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xín龙有几个爪 龙有两个根吗g)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提龙有几个爪 龙有两个根吗升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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