大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(c两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃ǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cú两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃n)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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