大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎn二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥g)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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