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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安1km等于多少米 1km是不是1公里全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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