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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，202寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶2年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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