大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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