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长征有多长公里 红军长征一共用了几年

长征有多长公里 红军长征一共用了几年 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī),我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查,目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán),是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán),防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头长征有多长公里 红军长征一共用了几年之一,2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势,公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(长征有多长公里 红军长征一共用了几年chǔ)等竞对(duì)产品

  分(fēn)析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo),催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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