大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据(j没事吃点护肝片好不好，女人吃护肝片的好处ù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过没事吃点护肝片好不好，女人吃护肝片的好处美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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