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句读之不知是什么句式类型,句读之不知是什么句式的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美光句读之不知是什么句式类型,句读之不知是什么句式的意思公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎn句读之不知是什么句式类型,句读之不知是什么句式的意思g)络(luò)安全审查(chá)。

  审(shěn)查发(fā)现(xiàn),美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露,薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù),看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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