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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīn北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线？g)停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线？进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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