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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn王宝强学历，王宝强不是84年的吗)公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(王宝强学历，王宝强不是84年的吗jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(j王宝强学历，王宝强不是84年的吗iāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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