大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片桃胶要怎么泡发最好吃，桃胶要怎么泡发最好吃窍门(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂(桃胶要怎么泡发最好吃，桃胶要怎么泡发最好吃窍门chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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