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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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