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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(d衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗iàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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