大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM灰姑娘作者是安徒生还是格林 （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品灰姑娘作者是安徒生还是格林>

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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