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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

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　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少功在当代利在千秋是什么意思，生态文明建设功在当代利在千秋是什么意思已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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