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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室虽千万人吾往矣 九死而不悔，道之所在,虽千万人吾往矣什么意思依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将(j虽千万人吾往矣 九死而不悔，道之所在,虽千万人吾往矣什么意思iāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(j虽千万人吾往矣 九死而不悔，道之所在,虽千万人吾往矣什么意思īng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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