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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信广州夏天温度一般多少度，广州夏天温度一般多少度正常息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(广州夏天温度一般多少度，广州夏天温度一般多少度正常jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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