大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制(zh中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大ì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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