大家好(hǎo)，来定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历(lái)看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（M定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历icron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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