自(zì)4月下旬(xún)高点(diǎn)回调接近13％，科创板再迎(yíng)巨资抄底。

　　据(jù)Wind数(shù)据统计，截止(zhǐ)5月23日，最(zuì)近一个(gè)月时间，场(chǎng)内资金(jīn)在科创板投资上采取“越跌越买”的操作(zuò)，主要跟踪科创(chuàng)板及其(qí)关联指数的ETF产(chǎn)品合计“吸金”256.43亿元，其中，华夏科(kē)创(chuàng)50ETF“吸金”高达(dá)169亿元(yuán)，位居全市场股票ETF资金净(jìng)流入榜首。

　　除了科创板之外，半(bàn)导体相关ETF也持续吸引场内资金的目光。场内11只跟踪半导体及(jí)芯片(piàn)指(zhǐ)数的ETF合计(jì)资金净流入超(chāo)过202亿元。3只(zhǐ)半导体相关ETF更(gèng)是“霸榜”最近一个(gè)月全(quán)市场行业ETF资金净流入榜单前三名(míng)。

　　在业内人士(shì)看来，场(chǎng)内资金不(bù)断借道(dào)ETF基金加速布局科创板、半导体板块，体(tǐ)现出(chū)市场对上述板块投(tóu)资(zī)价值的(de)认可。经过(guò)前期(qī)调整(zhěng)，这两大板块性价比也在逐(zhú)渐提(tí)升(shēng)。

　　科创板ETF最(zuì)近一个月(yuè)“吸金”超256亿元

　　作为场内资金配置的工具性(xìng)产(chǎn)品，ETF市场一(yī)直凛冽和凌冽的区别是什么，凌冽与凛冽拼音有着(zhe)逆势投资的特征，最近一个月，随着科(kē)创板的回调，相关ETF也(yě)成为资金追逐的对象(xiàng)。

　　据Wind数据统计(jì)，截止5月23日(rì)，最近一个月时间，主(zhǔ)要(yào)跟踪科创(chuàng)板及其关联(lián)指数(shù)的ETF产品合(hé)计“吸金”256.43亿元，其中，华夏科(kē)创50ETF“吸金(jīn)”更是(shì)高达(dá)169亿(yì)元，位居全(quán)市场ETF资金净流入榜(bǎng)首，除此之外，易方达科创50ETF资金(jīn)净(jìng)流入也超(chāo)过(guò)30亿元，嘉(jiā)实科创芯片ETF、工银瑞信科创ETF两只基金资金净流(liú)入也均(jūn)在10亿(yì)元之(zhī)上。

　　凛冽和凌冽的区别是什么，凌冽与凛冽拼音p>

　　今年(nián)以来(lái)，场内资金持续流入(rù)科创板相关(guān)ETF，华夏(xià)科创50ETF规模(mó)从年初仅500亿元出头涨至目前的606.24亿元，规模位居股票(piào)ETF第二名(míng)，仅(jǐn)次于华泰柏瑞沪深300ETF。

　　在易(yì)方达基金看来，电子(zi)、计(jì)算机等科创板的核心(xīn)权重(zhòng)行业持续获(huò)得资金(jīn)青睐(lài)，一(yī)方面(miàn)源于一季度以(yǐ)ChatGPT为代表的AI产业成为市场(chǎng)关注(zhù)焦点，另一方面随着(zhe)半导体(tǐ)下(xià)行周期拐(guǎi)点临近，业(yè)绩边际改善的(de)预(yù)期吸引资金切(qiè)换赛道。

　　从(cóng)科创板的核心板(bǎn)块(kuài)业绩(jì)变化来看，电(diàn)子、计算机和通(tōng)信板块的(de)2023年盈(yíng)利和收入预期增速保(bǎo)持在(zài)较高水(shuǐ)平，相比过(guò)去明显改善，与此(cǐ)同时新能源(yuán)板块的增速依(yī)然稳(wěn)健，凸(tū)显出科创板整体较高的盈利质(zhì)量。

　　易方达(dá)基(jī)金进(jìn)一步分(fēn)析指出(chū)，整(zhěng)体来看，科(kē)创(chuàng)50作(zuò)为成长性宽(kuān)基，今年(nián)一季度的利润增速(sù)相(xiāng)对较(jiào)高，配置吸引力(lì)显现。从(cóng)未(wèi)来的一致预期净利润增速来(lái)看，科创50相比其他宽基(jī)指数仍有优势，配置性价比(bǐ)较高，反映出较好的基本面。

　　从估(gū)值水平来看，科创50仍处于历史较(jiào)低水(shuǐ)平(píng)，同(tóng)时(shí)盈利估值(zhí)匹配度依然较优(yōu)。截至2023年4月27日，科创50指数(shù)估值的PE（TTM）为44.10，处于过去三年估值(zhí)分(fēn)位数(shù)32.97％。

　　国泰科(kē)创板基金经理(lǐ)姜英也(yě)看好今(jīn)年以来科(kē)创板走势。“从(cóng)板(bǎn)块整体估值性价比以及对未(wèi)来产业的反应程度，都是优于主板。”

　　“ 2023 年，我(wǒ)们看(kàn)好科创板的表(biǎo)现(xiàn)，经过了(le)三年的(de)估值回归，很多公司的估值与成长(zhǎng)匹(pǐ)配，买入并持(chí)有可以享受(shòu)行(xíng)业和(hé)公司的长期成长。”华南一位基金经理更是直言。

　　3只半导体ETF位居行业ETF资(zī)金净流入前三名(míng)

　　最近一段时间，半导体行业风声不断。

　　5月23日(rì)，日本经济产(chǎn)业(yè)省公布外汇(huì)法(fǎ)法令修正案(àn)，将(jiāng)先进芯片制造设备(bèi)等23个品(pǐn)类追加(jiā)列入(rù)出口管理(lǐ)的管制对象(xiàng)，上述修正案(àn)在经(jīng)过2个(gè)月的公告期后(hòu)，并将于(yú)7月(yuè)开始实施(shī)。受(shòu)益于国产替代加速的预期，半导体板(bǎn)块成为5月(yuè)24日A股市场(chǎng)少(shǎo)数(shù)逆势飘红的板块之一。

　　而在(zài)ETF市场上，随着前段时(shí)间半(bàn)导体板块(kuài)回(huí)调(diào)，资金也在加速(sù)抄(chāo)底这一板块。

　　Wind数(shù)据统计显示，场(chǎng)内11只跟踪半导(dǎo)体(tǐ)或是(shì)芯片指数的ETF合计资金(jīn)净(jìng)流入超(chāo)过202亿(yì)元。其中(zhōng)，国(guó)联(lián)安半导体ETF“吸金”72.82亿(yì)元，华夏芯片(piàn)ETF、国(guó)泰(tài)芯片ETF资(zī)金净流入也分别达(dá)到46.29亿元(yuán)、43.28亿元。上述3只(zhǐ)半导体相关(guān)ETF更是“霸榜”最近一个月行业ETF资金(jīn)净流入前(qián)三名。

　　展望未来半导体行业(yè)走势，国泰(tài)基金认为，存(cún)储芯片(piàn)自2022年(nián)四季(jì)度至2023年(nián)一季(jì)度价(jià)格持续下(xià)探之后，当前阶段或已接近行(xíng)业底部。

　　存储芯片行业周期相较于(yú)其他半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)产业链环节，具备较强(qiáng)的大宗商品属性，国际龙头会在下游新兴需求(qiú)诞生时，提升(shēng)自身产(chǎn)能。而当扩产落地时，行业进(jìn)入供过于求周(zhōu)期，各厂商则会通过(guò)降价进行库存(cún)去化。供给与需求的(de)错配(pèi)使得(dé)存储行业具有较(jiào)强的周(zhōu)期性。

　　国(guó)泰基金称，回(huí)顾历史上存储芯片的周期走势，结合(hé)2022年四季度行业龙头营收数据，营收增速为-44％。存储芯(xīn)片当(dāng)前(qián)处(chù)于筑(zhù)底阶(jiē)段，下半(bàn)年有望迎来(lái)存储芯片(piàn)行业(yè)周(zhōu)期的反(fǎn)弹机遇。

　　随着下(xià)游GPT-4大模(mó)型(xíng)为代表的人(rén)工(gōng)智能新兴(xīng)需求爆发，对(duì)于算力以及存(cún)储(chǔ)的(de)爆发(fā)性(xìng)需求由产业(yè)链下游(yóu)传(chuán)导到上游，促进上(shàng)游芯片(piàn)厂商提升自身产量(liàng)。叠加近两个季度(dù)量价持续(xù)下探的周(zhōu)期性磨底，芯片(piàn)板块(kuài)有望在今年下半(bàn)年迎来(lái)反弹。

　　不过，国(guó)泰基金(jīn)提醒，投资者需要(yào)警惕国际局势以及(jí)通胀(zhàng)带(dài)来的(de)负面影响(xiǎng)。

　　创(chuàng)金合信芯(xīn)片产(chǎn)业(yè)基金经理刘扬(yáng)则表示，硬科技(jì)的投资(zī)机会(huì)需要看到真(zhēn)正的(de)业绩(jì)触底、拐点出现，以(yǐ)及一些真正(zhèng)的创新落(luò)地(dì)。预计半(bàn)导体和(hé)消(xiāo)费电子大概率在二季度及(jí)二季度以后触底，当行业(yè)周期触底，科技(jì)创新蓄能才能真正地释放出来，下半年硬科技的(de)投资机会更多。

　　鹏华国证(zhèng)半导体芯(xīn)片ETF基金经理罗英宇也倾向判断，半(bàn)导体产业链(liàn)正处于供给侧(cè)收缩匹配(pèi)需求端，进一(yī)步压缩产业链(liàn)库存的(de)时期，价格(gé)下(xià)行压力逐步(bù)减轻，行业有望迎来(lái)库存(cún)加速出清，营收(shōu)和(hé)利润(rùn)迎(yíng)来拐点(diǎn)。

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