大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(c军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我há)发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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