大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为5公里是多少米 5公里是多少步公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(s5公里是多少米 5公里是多少步hì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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