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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(ló良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物ng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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