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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推假如给我三天光明主要内容概括50字，假如给我三天光明主要内容概括30字进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数假如给我三天光明主要内容概括50字，假如给我三天光明主要内容概括30字(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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