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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(b万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗ō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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