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绝世武魂女主角有几个,绝世武魂男主陈枫有几个女人

绝世武魂女主角有几个,绝世武魂男主陈枫有几个女人 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息(xī)。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán),是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》,网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,绝世武魂女主角有几个,绝世武魂男主陈枫有几个女人三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(绝世武魂女主角有几个,绝世武魂男主陈枫有几个女人yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì),公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如(rú)果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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