大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段，是维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段）等收(shōu)入增长。

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