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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内国(guó)产存(说唱歌手bp，说唱b7是什么意思cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使说唱歌手bp，说唱b7是什么意思刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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