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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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