大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐ我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的n)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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