大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全2l是多少毫升 2l是多少升法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最2l是多少毫升 2l是多少升大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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