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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络白玉髓越戴越穷是真的吗，白玉髓的寓意是什么安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)白玉髓越戴越穷是真的吗，白玉髓的寓意是什么办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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