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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审福建省面积多少万平方公里 福建省是南方吗 24px;'>福建省面积多少万平方公里 福建省是南方吗查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基福建省面积多少万平方公里 福建省是南方吗础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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