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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安略备薄酒的意思下一句，略备薄酒的读音全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，略备薄酒的意思下一句，略备薄酒的读音2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司略备薄酒的意思下一句，略备薄酒的读音份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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