大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作(cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式