大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品大闸蟹吃公的好还是母的好，大闸蟹公的好还是母蟹好p>

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yà大闸蟹吃公的好还是母的好，大闸蟹公的好还是母蟹好o)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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