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天之蓝52度多少钱一瓶 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全天之蓝52度多少钱一瓶(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查,目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全,是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú),欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'><span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>天之蓝52度多少钱一瓶</span></span>导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng),为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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