大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三一里地等于多少米，一里地等于多少米千米星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè一里地等于多少米，一里地等于多少米千米)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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