大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī贵州海拔高度是多少)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息贵州海拔高度是多少(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国贵州海拔高度是多少网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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