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  美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn),影响我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放,只要(yào)遵(四字拟声词有哪些ABAB式,abcd四字拟声词有哪些zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán),防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使(s四字拟声词有哪些ABAB式,abcd四字拟声词有哪些hǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更(gèng)四字拟声词有哪些ABAB式,abcd四字拟声词有哪些多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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