大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，91是质数吗，95是质数吗rong>我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星91是质数吗，95是质数吗(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购91是质数吗，95是质数吗国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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