大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(80寸电视机长和宽大概是多少厘米的，80寸电视的长和宽分别是多少厘米xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安80寸电视机长和宽大概是多少厘米的，80寸电视的长和宽分别是多少厘米全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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