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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文泰国相当于中国的哪个省，泰国等于中国哪个省称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng泰国相当于中国的哪个省，泰国等于中国哪个省)收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(z泰国相当于中国的哪个省，泰国等于中国哪个省hǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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