大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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