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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān带自动蝴蝶去上班感受，有用蝴蝶上班的吗)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(d带自动蝴蝶去上班感受，有用蝴蝶上班的吗uì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(带自动蝴蝶去上班感受，有用蝴蝶上班的吗zhǎng)。

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