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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全(联通如何查询话费余额和流量余额，联通怎么查话费余额和剩余流量quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称联通如何查询话费余额和流量余额，联通怎么查话费余额和剩余流量，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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