大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(四川的拼音怎么拼写的，四川拼音怎么拼写读音的bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积四川的拼音怎么拼写的，四川拼音怎么拼写读音的设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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