大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予(y获利指数计算公式 获利指数和现值指数一样吗ǔ)通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害获利指数计算公式 获利指数和现值指数一样吗国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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