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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至202珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄2年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，20珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄21 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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